IRF634L
Výrobca Číslo produktu:

IRF634L

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF634L-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) Through Hole I2PAK

Inventár:

Online RFQ
12911475
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF634L Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
770 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRF634

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRF634L-DG
Technické listy
IRF634L

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF634L

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI7186DP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRF540

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

vishay-siliconix

IRF840ASTRL

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF644STRLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK