IRF634NPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF634NPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF634NPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 3.8W (Ta), 88W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12908385
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF634NPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
435mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF634

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Packaging Information

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF634NPBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
993
ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRF840LCSPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay-siliconix

IRFI9630G

MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3

littelfuse

IXFP130N10T2

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

vishay-siliconix

IRF820S

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK