Výrobca Číslo produktu:
IRF710
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF710-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12952324
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF710 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF710
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRF710
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF710PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6746
ČÍSLO DIELU
IRF710PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN6013LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
SIB414DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SUP60N06-12P-E3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
