IRF830ASTRLPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF830ASTRLPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF830ASTRLPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

9358 Ks Nové Originálne Na Sklade
12860184
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF830ASTRLPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF830

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
IRF830ASTRLPBFDKR
IRF830ASTRLPBFCT
IRF830ASTRLPBF-DG
IRF830ASTRLPBFTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
renesas-electronics-america

2SK3576-T1B-AT

MOSFET N-CH 20V SC-96 SOT-23

renesas-electronics-america

NP80N055MHE-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

onsemi

ZSPM9000AI1R

MOSFET N-CH