IRF830BPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF830BPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF830BPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

2784 Ks Nové Originálne Na Sklade
12910708
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF830BPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
325 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF830

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRF830BPBF-DG
Výkresy produktov
TO-220AB Package Drawing
Technické listy
IRF830BPBF

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTK150N15P

MOSFET N-CH 150V 150A TO264

vishay-siliconix

IRF840ALPBF

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

vishay-siliconix

IRLR120TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

littelfuse

IXFK66N85X

MOSFET N-CH 850V 66A TO264