Výrobca Číslo produktu:
IRF840LCSTRRPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF840LCSTRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12893444
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF840LCSTRRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF840
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
872
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
IRC830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5
IRFBC30A
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
