IRF840STRLPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF840STRLPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF840STRLPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Podrobný popis:

N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

1469 Ks Nové Originálne Na Sklade

12869383

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF840STRLPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

500 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

8A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

63 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1300 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

IRF840

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF840STRLPBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Iné mená

IRF840STRLPBFDKR

IRF840STRLPBF-DG

IRF840STRLPBFTR

IRF840STRLPBFCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRF730ASPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830SPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9540SPBF

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

nxp-semiconductors

BSP304A,126

MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3