IRF9530SPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF9530SPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF9530SPBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Podrobný popis:

P-Channel 100 V 12A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

997 Ks Nové Originálne Na Sklade

12843378

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF9530SPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

860 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

IRF9530

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

IRF9530SPBFCT

IRF9530SPBFCT-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

MMFT960T1G

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

vishay-siliconix

IRF840BPBF

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

onsemi

NTP30N06

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

onsemi

NTP35N15G

MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB