Výrobca Číslo produktu:
IRFBC20STRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFBC20STRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
416 Ks Nové Originálne Na Sklade
12913644
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFBC20STRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFBC20
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRFBC20STRLPBFDKR
IRFBC20STRLPBFTR
IRFBC20STRLPBFCT
IRFBC20STRLPBF-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4164DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
SI4110DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8SO
SI7886ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
