IRFBC30STRR
Výrobca Číslo produktu:

IRFBC30STRR

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFBC30STRR-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ
12959466
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFBC30STRR Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFBC30

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFBC30STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
52
ČÍSLO DIELU
IRFBC30STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.29
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFR210TRR

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

SI1431DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

vishay-siliconix

IRF630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

SI7450DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8