IRFBC40LPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFBC40LPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFBC40LPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventár:

Online RFQ
12910395
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFBC40LPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRFBC40

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFBC40LPBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FQI7N60TU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
FQI7N60TU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRF9620S

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFI840GLCPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

vishay-siliconix

IRFIBC40GPBF

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3