IRFBE20STRL

Výrobca Číslo produktu:

IRFBE20STRL

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFBE20STRL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Podrobný popis:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ

12914405

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFBE20STRL Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

800 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

1.8A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

530 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

-

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

IRFBE20

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SI4176DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

vishay-siliconix

SI8824EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

SI5485DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

vishay-siliconix

SI8802DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT