Výrobca Číslo produktu:
IRFBE30SPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFBE30SPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12885736
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFBE30SPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFBE30
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFBE30SPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB7NK80ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4410
ČÍSLO DIELU
STB7NK80ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF540NSTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7309
ČÍSLO DIELU
IRF540NSTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FQB4N80TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
720
ČÍSLO DIELU
FQB4N80TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.90
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRCZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-5
IRFBC40LCSTRL
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFB16N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
