Výrobca Číslo produktu:
IRFBE30STRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFBE30STRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882638
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFBE30STRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFBE30
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRFBE30STRLPBFTR
IRFBE30STRLPBFCT
IRFBE30STRLPBF-DG
IRFBE30STRLPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFBC40L
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
DMN3051LDM-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
