IRFD014
Výrobca Číslo produktu:

IRFD014

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFD014-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

12910845
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFD014 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
310 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD014

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
*IRFD014

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFD014PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1111
ČÍSLO DIELU
IRFD014PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFZ40PBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

littelfuse

IXTT30N60L2

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

vishay-siliconix

IRL630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9510S

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK