IRFD024PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRFD024PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFD024PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

1070 Ks Nové Originálne Na Sklade

12909351

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFD024PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Bulk

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

2.5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

100mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

640 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.3W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

4-HVMDIP

Balenie / puzdro

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Základné číslo produktu

IRFD024

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

*IRFD024PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRF840A

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR9020TRR

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

littelfuse

IXTA10P50P

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

vishay-siliconix

IRFD224PBF

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP