Výrobca Číslo produktu:
IRFD113PBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFD113PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventár:
2315 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948653
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFD113PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
800mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD113
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
AIMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31