IRFD9010PBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFD9010PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFD9010PBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Podrobný popis:
P-Channel 50 V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

312 Ks Nové Originálne Na Sklade
12868793
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFD9010PBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
240 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD9010

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
100
Iné mená
*IRFD9010PBF
2266-IRFD9010PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFP450

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

nexperia

BUK966R5-60E,118

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK9E4R9-60E,127

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

vishay-siliconix

IRF9630STRLPBF

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK