IRFDC20PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRFDC20PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFDC20PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

5886 Ks Nové Originálne Na Sklade

12908571

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFDC20PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

320mA (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

350 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

4-HVMDIP

Balenie / puzdro

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Základné číslo produktu

IRFDC20

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

100

Iné mená

*IRFDC20PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXFK120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA

vishay-siliconix

IRF9630SPBF

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR214TRRPBF

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

littelfuse

IXFR32N80Q3

MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247