IRFI640GPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFI640GPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFI640GPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

1352 Ks Nové Originálne Na Sklade
12959387
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFI640GPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFI640

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFI640GPBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRLZ34L

MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SI4654DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9024PBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK