IRFI9610GPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFI9610GPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFI9610GPBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

969 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915068
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFI9610GPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
27W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFI9610

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
742-IRFI9610GPBF
*IRFI9610GPBF
IRFI9610GPBF-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI5475DC-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

vishay-siliconix

SI5458DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET

vishay-siliconix

SI2311DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4196DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 8SO