IRFIB5N65APBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFIB5N65APBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFIB5N65APBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

927 Ks Nové Originálne Na Sklade
12909554
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFIB5N65APBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
930mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1417 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFIB5

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRFIB5N65APBF-DG
Technické listy
IRFIB5N65APBF

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFIB5N65APBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
littelfuse

IXFP34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TRL

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBE30GPBF

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

littelfuse

IXFP56N30X3M

MOSFET N-CH 300V 56A TO220