Výrobca Číslo produktu:
IRFIB7N50APBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFIB7N50APBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
813 Ks Nové Originálne Na Sklade
12953893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFIB7N50APBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1423 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFIB7
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFIB7N50APBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZVN2106ASTOA
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
CP406-CWDM3011N-CT
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
