Výrobca Číslo produktu:
IRFIBC20G
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFIBC20G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12915336
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
mFr1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFIBC20G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFIBC20
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFIBC20G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF2HNK60Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
953
ČÍSLO DIELU
STF2HNK60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFIBC20GPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1053
ČÍSLO DIELU
IRFIBC20GPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.07
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STF2N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
729
ČÍSLO DIELU
STF2N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4413ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
SI7459DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
IRFR024TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK