Výrobca Číslo produktu:
IRFIBE20GPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFIBE20GPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
37 Ks Nové Originálne Na Sklade
12906062
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
NEQ0
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFIBE20GPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFIBE20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFIBE20GPBF
2266-IRFIBE20GPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF3NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6040
ČÍSLO DIELU
STF3NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.84
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FQPF2N80YDTU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
425
ČÍSLO DIELU
FQPF2N80YDTU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFA36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
IRFP354PBF
MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
IRFBC30S
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
