Výrobca Číslo produktu:
IRFP250PBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFP250PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
12955870
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
KDLu
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFP250PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IRFP250
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
*IRFP250PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP250MPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8703
ČÍSLO DIELU
IRFP250MPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.99
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFP4227PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1028
ČÍSLO DIELU
IRFP4227PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.02
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFP250NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8516
ČÍSLO DIELU
IRFP250NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF9610L
MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
IRFD310
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
