Výrobca Číslo produktu:
IRFS11N50APBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFS11N50APBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
417 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915445
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFS11N50APBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1423 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFS11
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
*IRFS11N50APBF
2266-IRFS11N50APBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
