Výrobca Číslo produktu:
IRFS11N50ATRLP
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFS11N50ATRLP-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventár:
325 Ks Nové Originálne Na Sklade
12914471
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFS11N50ATRLP Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1423 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AB
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRFS11
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRFS11N50ATRLPTR
IRFS11N50ATRLP-DG
IRFS11N50ATRLPDKR
IRFS11N50ATRLPCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFA12N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
298
ČÍSLO DIELU
IXFA12N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.82
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
872
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFR64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
SI7738DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
IXTH270N04T4
MOSFET N-CH 40V 270A TO247
