IRFSL11N50APBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFSL11N50APBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFSL11N50APBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventár:

Online RFQ
12961241
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFSL11N50APBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1426 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRFSL11

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFSL11N50APBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

vishay-siliconix

SUD25N15-52-E3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

vishay-siliconix

SI7440DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8