IRFSL9N60ATRL
Výrobca Číslo produktu:

IRFSL9N60ATRL

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFSL9N60ATRL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventár:

Online RFQ
12910296
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFSL9N60ATRL Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRFSL9

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRFSL9N60ATRL-DG
Technické listy
IRFSL9N60ATRL

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
AOW11N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
773
ČÍSLO DIELU
AOW11N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFR9210PBF

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

IRF737LCS

MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

littelfuse

IXTP450P2

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR1N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK