IRFU110PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRFU110PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFU110PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventár:

2472 Ks Nové Originálne Na Sklade

12908327

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFU110PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.3A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

180 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

25W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-251AA

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

IRFU110

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

75

Iné mená

*IRFU110PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRF644NSTRR

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

nexperia

BSH202,215

MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB

vishay-siliconix

IRF820ASTRR

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFB17N60K

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB