Výrobca Číslo produktu:
IRFU1N60A
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFU1N60A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventár:
12912168
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFU1N60A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
229 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251AA
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IRFU1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
*IRFU1N60A
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD1NK60-1
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5751
ČÍSLO DIELU
STD1NK60-1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFU1N60APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1927
ČÍSLO DIELU
IRFU1N60APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL510STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IXFK60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
IRFR9014NTRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
