IRFU210PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRFU210PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFU210PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA

Podrobný popis:

N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventár:

11870 Ks Nové Originálne Na Sklade

12909760

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFU210PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

2.6A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

140 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-251AA

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

IRFU210

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

75

Iné mená

2266-IRFU210PBF

*IRFU210PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXTR16P60P

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247

littelfuse

IXFN44N60

MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFBF30STRR

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF610PBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB