Výrobca Číslo produktu:
IRFZ10
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFZ10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12912558
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFZ10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
43W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRFZ10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRFZ10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFZ10PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRFZ10PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
MTP3055VL
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
815
ČÍSLO DIELU
MTP3055VL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFZ14PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
57829
ČÍSLO DIELU
IRFZ14PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFU320
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
SI7390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
