Výrobca Číslo produktu:
IRL620STRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRL620STRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
130 Ks Nové Originálne Na Sklade
12907403
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL620STRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRL620
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRL620STRLPBFTR
IRL620STRLPBFDKR
IRL620STRLPBF-DG
IRL620STRLPBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIHL620STRL-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
776
ČÍSLO DIELU
SIHL620STRL-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SIHL620S-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
860
ČÍSLO DIELU
SIHL620S-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ24
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
IRF9510
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
IXFA10N60P-TRL
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
