Výrobca Číslo produktu:
IRLZ14STRR
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRLZ14STRR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12908898
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLZ14STRR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRLZ14
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLZ14STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2043
ČÍSLO DIELU
IRLZ14STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRLZ14STRRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRLZ14STRRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTH36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO247
IRLZ44STRL
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IXFA14N85XHV
MOSFET N-CH 850V 14A TO263
