SI1013X-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI1013X-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI1013X-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Inventár:

20598 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915815
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI1013X-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-89-3
Balenie / puzdro
SC-89, SOT-490
Základné číslo produktu
SI1013

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SI1013X-T1-GE3-DG
Technické listy
SI1013X-T1-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1013X-T1-GE3TR
SI1013X-T1-GE3DKR
SI1013XT1GE3
SI1013X-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHG24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SQR40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV

vishay-siliconix

SIR696DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8