Výrobca Číslo produktu:
SI1023X-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1023X-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventár:
6973 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912819
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1023X-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
370mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
250mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SC-89 (SOT-563F)
Základné číslo produktu
SI1023
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1023X-T1-GE3CT
SI1023XT1GE3
SI1023X-T1-GE3TR
SI1023X-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7901EDN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
VBH40-05B
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2-PAK
SI4561DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
