Výrobca Číslo produktu:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1072X-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventár:
12913917
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1072X-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
280 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
236mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-89 (SOT-563F)
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Základné číslo produktu
SI1072
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI1070X-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
923
ČÍSLO DIELU
SI1070X-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SSM6K202FE,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21141
ČÍSLO DIELU
SSM6K202FE,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
