Výrobca Číslo produktu:
SI1303DL-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1303DL-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventár:
12912222
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1303DL-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
670mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
290mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-3
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
SI1303
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSS209PWH6327XTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
76915
ČÍSLO DIELU
BSS209PWH6327XTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3454CDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
IRFZ14
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IXTH30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
