SI1330EDL-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI1330EDL-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI1330EDL-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3

Inventár:

2875 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916982
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI1330EDL-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
240mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
3V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
280mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-3
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
SI1330

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SI1330EDL-T1-GE3-DG
Technické listy
SI1330EDL-T1-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3CT-DG
742-SI1330EDL-T1-GE3DKR
SI1330EDL-T1-GE3TR
742-SI1330EDL-T1-GE3CT
SI1330EDL-T1-GE3DKR
742-SI1330EDL-T1-GE3TR
SI1330EDL-T1-GE3DKR-DG
SI1330EDLT1GE3
SI1330EDL-T1-GE3TR-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN63D1LW-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN63D1LW-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RSU002N06T106
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5515
ČÍSLO DIELU
RSU002N06T106-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RHU002N06T106
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
49952
ČÍSLO DIELU
RHU002N06T106-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SUM120N04-1M7L-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

littelfuse

IXFT26N50Q

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

vishay-siliconix

SI7425DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

vishay-semi-diodes

VS-FC420SA15

MOSFET N-CH 150V 400A SOT227