Výrobca Číslo produktu:
SI1401EDH-T1-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1401EDH-T1-BE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 4A (Ta), 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12978018
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1401EDH-T1-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Ta), 4A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±10V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základné číslo produktu
SI1401
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI1401EDH-T1-BE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR210PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
SI1469DH-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
SI1442DH-T1-BE3
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
