Výrobca Číslo produktu:
SI1414DH-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1414DH-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 4A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventár:
12912602
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1414DH-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
46mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
560 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základné číslo produktu
SI1414
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1414DH-T1-GE3DKR
SI1414DH-T1-GE3CT
SI1414DH-T1-GE3TR
SI1414DH-T1-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLZ24SPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
IRFPS35N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
SI4447DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
