SI1416EDH-T1-BE3
Výrobca Číslo produktu:

SI1416EDH-T1-BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI1416EDH-T1-BE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventár:

12977921
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI1416EDH-T1-BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základné číslo produktu
SI1416

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI1416EDH-T1-BE3TR
742-SI1416EDH-T1-BE3CT
742-SI1416EDH-T1-BE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIRA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK

infineon-technologies

IPBE65R050CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7

micro-commercial-components

SL3407-TP

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23-3L

diodes

DMTH61M8LPS-13

MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI