Výrobca Číslo produktu:
SI1480DH-T1-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1480DH-T1-BE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventár:
12945873
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1480DH-T1-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
130 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základné číslo produktu
SI1480
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI1480DH-T1-BE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR014TRLPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFBC40LCPBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
SI1403BDL-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6