Výrobca Číslo produktu:
SI1902DL-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1902DL-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Inventár:
34190 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915734
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1902DL-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
660mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
270mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Základné číslo produktu
SI1902
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1902DL-T1-E3DKR
SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
SI1902DL-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
