Výrobca Číslo produktu:
SI1926DL-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI1926DL-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6
Inventár:
3911 Ks Nové Originálne Na Sklade
12911828
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI1926DL-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
370mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
18.5pF @ 30V
Výkon - Max
510mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-70-6
Základné číslo produktu
SI1926
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI1926DL-T1-GE3CT
SI1926DL-T1-GE3-DG
SI1926DL-T1-GE3DKR
SI1926DL-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5944DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI4804CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI1965DH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6