Výrobca Číslo produktu:
SI2302CDS-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2302CDS-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
88961 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912757
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2302CDS-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
850mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
710mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2302
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI2302CDS-T1-E3TR
SI2302CDS-T1-E3DKR
SI2302CDS-T1-E3CT
SI2302CDST1E3
SI2302CDS-T1-E3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
IRFR9014TRLPBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
