Výrobca Číslo produktu:
SI2342DS-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2342DS-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Podrobný popis:
N-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
12914341
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2342DS-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
800mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1070 pF @ 4 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2342
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI2342DS-T1-GE3-DG
SI2342DS-T1-GE3DKR
SI2342DS-T1-GE3CT
SI2342DS-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI2342DS-T1-BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2875
ČÍSLO DIELU
SI2342DS-T1-BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
DMN1019USN-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6772
ČÍSLO DIELU
DMN1019USN-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR420PBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
IRFR1N60ATR
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IXKR40N60C
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
