Výrobca Číslo produktu:
SI3129DV-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3129DV-T1-GE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 80 V 3.8A (Ta), 5.4A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12949161
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3129DV-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
805 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI3129DV-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
IRF150P221AKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
